ggNMOS相关论文
Trigger characteristics of electrostatic discharge(ESD)protecting devices operating under various ambient temperatures r......
本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了......
基于单指条栅接地N型场效应晶体管(GGNMOS)在静电放电(ESD)时的物理级建模方法,仿真分析了版图参数和工艺参数对器件ESD鲁棒性的影......
Trigger characteristics of electrostatic discharge (ESD) protecting devices operating under various ambient tempera-ture......
In this paper,the ESD discharge capability of GGNMOS (gate grounded NMOS) device in the radiation-hardened 0.18μm bulk ......
,Improving robustness of GGNMOS with P-base layer for electrostatic discharge protection in 0.5-μm B
Gate-grounded N-channel MOSFET (GGNMOS) has been extensively used for on-chip electrostatic discharge (ESD) protection.H......
当两个拥有不同电势的物体接触时,电势差会导致电荷流动,从而产生放电,这种现象称为静电放电(Electrostatic Discharge,ESD).ESD所......
Analysis on the positive dependence of channel length on ESD failure current of a GGNMOS in a 5 V CM
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
基于静电放电(ESD)应力下深亚微米栅接地N型场效应晶体管(GGNMOS)二次击穿的物理特性,将建立的热击穿温度模型、热源模型与温度相......
本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证.基于仿真结果首次讨论了G......
分析了静电放电(ESD)保护的基本原理,指出了传统的用于模拟电路的ESD保护电路在高速电路应用中的局限性.提出了在端口的栅极接地NM......
基于ESD应力下GGNMOS的工作特性，从GGNMOS的内部物理过程，推导建立了二次击穿前GGNMOS的器件级模型，并给出了相应的参数提取方法；实现......
对采用多指条形GGNMOS结构的ESD保护电路的工作原理进行分析，并对其进行ESD测试实验。理论分析了影响ESD性能的一些因素，提出一种栅......
随着CMOS工艺技术发展到深亚微米阶段，器件沟道的有效长度小于0．25μm，器件的高集成度增进了集成电路（IC）的性能及运算速度．但随着器件尺......
随着工艺不断的发展,芯片越来越容易被静电放电（ESD）冲击损坏。在动态随机存取存储器（DRAM）芯片中最容易被ESD损坏的模块就是接口（I/O）模......
随着CMOS工艺技术的不断发展进入到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25μm,器件的高集成度增进了集成电路（IC）的性能及运算速......
在集成电路领域，由于静电放电ESD（ElectroStatic Discharge）导致的芯片失效一直是一个相当严重的问题，随着器件特征尺寸的不断减小，迫切......
当两个拥有不同电势的物体接触时,电势差会导致电荷流动,从而产生放电,这种现象称为静电放电( Electrostatic Discharge,ESD )。ES......
本文讨论了ESD保护器件GGNMOS（Gate Grounded NMOS）的栅长对其抗静电能力的影响，并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了GGN......
近年来,我国的集成电路产业发展迅速,陆续涌现出不少优秀的半导体公司,很多公司、研究所和高校也将目光放在了高性能集成电路研究......
ESD设计是SOI电路设计技术的主要挑战之一,文章介绍了基于部分耗尽0.6μm SOI工艺所制备的常规SOI NMOS器件的ESD性能,以及采用改......
随着CMOS工艺的不断深化,CMOS器件开启速度越来越快,有利于设计出更高速的电路及相关接口器件。但随着CMOS工艺深化的同时,器件的......
基于ESD应力下栅接地N型MOS管（GGNMOS）的工作特性,提出2种开启后区域的器件级模型结构和相应的参数提取方法,并利用Matlab分别基于两......
集成电路工艺目前已经发展到超深亚微米水平,静电放电危害变得更加突出。针对这一问题,首先介绍了基于CMOS工艺的静电放电保护电路......
In this paper,the ESD discharge capability of GGNMOS(gate grounded NMOS)device in the radiation-hardened 0.18μm bulk si......
完成了GGNMOS ESD器件的建模,提出了ESD瞬时大脉冲条件下二次击穿前保护器件GGNMOS的理论模型,并利用Spectre工具完成了模型的仿真......
本论文研究目的是从电路设计者的角度研究全芯片ESD保护设计方法。介绍深微米CMOS工艺下常用的ESD保护器件、电路与全芯片ESD保护......
文章讨论了用MEDICI作基于仿真的ESD保护电路设计方法,并以GGNMOS为例,给出了MEDICI仿真结果与实验数据的对照。结果表明此方法是......
本文研究了在0.6um工艺下,数个版图参数对NMOS ESD保护器件性能的影响,并给出了这些版图参数适宜值的范围;提出了用于I/OPAD的ESD......
随着技术的进步,工艺的改进,一方面集成电路的集成度越来越高,另一方面芯片之间数据传输的速度也越来越快。工艺的进步,使得芯片的......
